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AO3414场效应管参数,AO3414中文资料规格书,AO3414替代

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2022-05-11 浏览:-

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彩神Iv场效应管AO3414参数,丝印AE9T,AO3414封装引脚图,AO3414中文资料PDF,MOS管厂家

产品名称:场效应MOS管    产品型号:AO3414   极性:N沟道

漏源电压:20V    连续漏极电流:4.2A    封装:SOT-23等

AO3414(SOT-23)

图1)场效应管AO3414(丝印AE9T)封装SOT23

场效应管AO3414规格书(数据手册)下载:AO3414(SOT23).PDF


场效应管AO3414参数资料如下:


极性:NPN

漏源电压(VDS):20V

栅源电压(VGS):±8V

漏极电流-连续(TA=25°C)(ID):4.2A

漏极电流-连续(TA=70°C)(ID):3.2A

漏极电流-脉冲(IDM):15A

功耗(TA=25°C)(PD):1.4W

功耗(TA=70°C)(PD):0.9W

工作与贮存温度范围(TJ,TSTG彩神Iv):-55 to 150 °С

热阻-结到环境(RθJA):125°C/W

热阻-结到外壳(RθJC):80°C/W

绝对最大额定值

图2)绝对最大额定值(除非另有说明,否则绝对最大额定值Ta=25°C

电气特性

彩神Iv图3)电气特性(Ta=25°C,除非另有说明)

图4)场效应管AO3414(SOT-23)封装尺寸

图4)场效应管AO3414(SOT-23)封装尺寸

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